Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
7 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
120
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
150 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 62,06
€ 1,241 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 62,06
€ 1,241 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,241 | € 62,06 |
100 - 450 | € 0,984 | € 49,22 |
500 - 950 | € 0,836 | € 41,78 |
1000+ | € 0,709 | € 35,44 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
7 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
120
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
150 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.