Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Länge
3.04mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 20,30
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 20,30
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,203 | € 2,03 |
250 - 490 | € 0,176 | € 1,76 |
500 - 990 | € 0,154 | € 1,54 |
1000+ | € 0,14 | € 1,40 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Länge
3.04mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.