řada: NTMFS5C430NMOSFET NTMFS5C430NT1G N-kanálový 185 A 40 V, DFN, počet kolíků: 4 + Tab
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
185 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Řada
NTMFS5C430N
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
106 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.1mm
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 847,80
€ 0,565 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 847,80
€ 0,565 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
185 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Řada
NTMFS5C430N
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
106 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.1mm
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products