řada: STripFET F3MOSFET STB70NF3LLT4 N-kanálový 70 A 30 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
70 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
STripFET F3
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 4,5 V
Länge
10.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
10.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
70 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
STripFET F3
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 4,5 V
Länge
10.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
10.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products