Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Höhe
16.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 75,43
€ 1,509 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 75,43
€ 1,509 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,509 | € 75,43 |
100 - 450 | € 1,183 | € 59,14 |
500 - 950 | € 0,991 | € 49,56 |
1000 - 4950 | € 0,833 | € 41,64 |
5000+ | € 0,783 | € 39,15 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Höhe
16.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku