Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
450 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
35 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
450 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
35 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.