Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 8,61
€ 0,861 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 8,61
€ 0,861 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,861 | € 8,61 |
50 - 90 | € 0,838 | € 8,38 |
100 - 240 | € 0,816 | € 8,16 |
250 - 490 | € 0,795 | € 7,95 |
500+ | € 0,775 | € 7,75 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku