Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
160 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
72 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 3,72
€ 3,72 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 3,72
€ 3,72 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 3,72 |
10 - 24 | € 3,37 |
25 - 99 | € 3,18 |
100 - 499 | € 2,53 |
500+ | € 2,27 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
160 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
72 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku