Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
320 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
89,3 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 9,85
€ 9,85 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 9,85
€ 9,85 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 9,85 |
5 - 9 | € 9,35 |
10 - 24 | € 8,42 |
25 - 49 | € 7,69 |
50+ | € 7,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
320 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
89,3 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku