Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.8mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.3mm
€ 18,90
€ 0,756 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 18,90
€ 0,756 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.8mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.3mm