Technické dokumenty
Špecifikácie
Režim kanálu
Vylepšení
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Konfigurace tranzistoru
Single
Propustné napětí diody
1.5V
Montage-Typ
Through Hole
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.6mm
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální ztrátový výkon
38.7 W
Gehäusegröße
ITO-220
Länge
10mm
Höhe
15mm
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Brand
Taiwan SemiconductorInformácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Režim kanálu
Vylepšení
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Konfigurace tranzistoru
Single
Propustné napětí diody
1.5V
Montage-Typ
Through Hole
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.6mm
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální ztrátový výkon
38.7 W
Gehäusegröße
ITO-220
Länge
10mm
Höhe
15mm
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Brand
Taiwan Semiconductor