IGBT GT40QR21,F(O N-kanálový 40 A 1200 V, TO-3P, počet kolíků: 3 2.5MHz Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMaximální stejnosměrný proud kolektoru
40 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
2.5MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.5 x 4.5 x 20mm
Kapacitance hradla
1500pF
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
0.29mJ
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 4,52
€ 4,52 Each (bez DPH)
1
€ 4,52
€ 4,52 Each (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 4,52 |
| 5+ | € 4,22 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMaximální stejnosměrný proud kolektoru
40 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
2.5MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.5 x 4.5 x 20mm
Kapacitance hradla
1500pF
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
0.29mJ
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products