Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
207 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
255 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 3,05
€ 3,05 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 3,05
€ 3,05 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 24 | € 3,05 |
25 - 99 | € 2,88 |
100 - 349 | € 2,75 |
350 - 499 | € 2,45 |
500+ | € 2,29 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
207 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
255 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku