řada: TKMOSFET TK12E60W,S1VX(S N-kanálový 11,5 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
4.45mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,68
€ 2,336 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 11,68
€ 2,336 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,336 | € 11,68 |
| 25 - 45 | € 1,874 | € 9,37 |
| 50 - 120 | € 1,708 | € 8,54 |
| 125 - 245 | € 1,566 | € 7,83 |
| 250+ | € 1,404 | € 7,02 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
4.45mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products