řada: TKMOSFET TK20N60W,S1VF(S N-kanálový 20 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.95mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 4,35
€ 2,175 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 4,35
€ 2,175 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,175 | € 4,35 |
| 10 - 38 | € 1,915 | € 3,83 |
| 40 - 98 | € 1,675 | € 3,35 |
| 100 - 198 | € 1,565 | € 3,13 |
| 200+ | € 1,48 | € 2,96 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.95mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products