Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3

Skladové číslo RS: 178-3877PZnačka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQ2364EES-T1_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

600 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.46V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±8 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2 nC při 4,5 V

Breite

1.4mm

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 36,20

€ 0,362 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Vyberte typ balenia

€ 36,20

€ 0,362 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaCievka
100 - 475€ 0,362€ 9,05
500 - 975€ 0,302€ 7,55
1000+€ 0,256€ 6,41

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

600 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.46V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±8 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2 nC při 4,5 V

Breite

1.4mm

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more