MOSFET IRFBG30PBF N-kanálový 3.1 A 1000 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 541-1146Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRFBG30PBFDistrelec Article No.: 17115229
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3,1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1000 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

80 nC při 10 V

Breite

4.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.41mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

9.01mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VZnačka: Vishay
P.O.A.Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,34

€ 2,34 Each (bez DPH)

MOSFET IRFBG30PBF N-kanálový 3.1 A 1000 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 2,34
2€ 4,68
3€ 7,02
4€ 9,36
5€ 11,70
6€ 14,04
7€ 16,38
8€ 18,72
9€ 21,06
10€ 20,40
11€ 22,44
12€ 24,48
13€ 26,52
14€ 28,56
15€ 30,60

€ 2,34

€ 2,34 Each (bez DPH)

MOSFET IRFBG30PBF N-kanálový 3.1 A 1000 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 2,34
2€ 4,68
3€ 7,02
4€ 9,36
5€ 11,70
6€ 14,04
7€ 16,38
8€ 18,72
9€ 21,06
10€ 20,40
11€ 22,44
12€ 24,48
13€ 26,52
14€ 28,56
15€ 30,60

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cena
1 - 9€ 2,34
10 - 49€ 2,04
50 - 99€ 1,94
100 - 249€ 1,82
250+€ 1,69

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VZnačka: Vishay
P.O.A.Each (bez DPH)

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3,1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1000 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

80 nC při 10 V

Breite

4.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.41mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

9.01mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VZnačka: Vishay
P.O.A.Each (bez DPH)