MOSFET IRFP250PBF N-kanálový 30 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 25,60
€ 2,56 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 25,60
€ 2,56 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 2,56 | € 12,80 |
| 25 - 45 | € 2,258 | € 11,29 |
| 50 - 120 | € 2,108 | € 10,54 |
| 125+ | € 1,958 | € 9,79 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products