MOSFET SI4116DY-T1-GE3 N-kanálový 12.7 A 25 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 42,50
€ 0,85 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 42,50
€ 0,85 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 0,85 | € 4,25 |
| 250 - 495 | € 0,768 | € 3,84 |
| 500 - 1245 | € 0,724 | € 3,62 |
| 1250+ | € 0,68 | € 3,40 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products