MOSFET Si4134DY-T1-GE3 N-kanálový 9,9 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,4 nC při 10 V, 7,3 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,79
€ 0,679 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 6,79
€ 0,679 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,679 | € 6,79 |
| 100 - 240 | € 0,638 | € 6,38 |
| 250 - 490 | € 0,577 | € 5,77 |
| 500 - 990 | € 0,545 | € 5,45 |
| 1000+ | € 0,51 | € 5,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,4 nC při 10 V, 7,3 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products