MOSFET SI4511DY-T1-GE3 N/P-kanálový 3,7 A, 7,2 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 812-3221Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI4511DY-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.7 A, 7.2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ, 50 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.6V

Maximální ztrátový výkon

1.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, -12 V, +12 V, +16 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,5 nC při 10 V, 17 nC při 10 V

Breite

4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.55mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET SI4511DY-T1-GE3 N/P-kanálový 3,7 A, 7,2 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET SI4511DY-T1-GE3 N/P-kanálový 3,7 A, 7,2 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.7 A, 7.2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ, 50 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.6V

Maximální ztrátový výkon

1.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, -12 V, +12 V, +16 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,5 nC při 10 V, 17 nC při 10 V

Breite

4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.55mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more