Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China