Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

MOSFET SI5419DU-T1-GE3 P-kanálový 9,9 A 30 V, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 818-1312Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI5419DU-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9,9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

33 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

31 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.98mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.08mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

30 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.85mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 5,17

€ 0,258 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI5419DU-T1-GE3 P-kanálový 9,9 A 30 V, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 5,17

€ 0,258 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI5419DU-T1-GE3 P-kanálový 9,9 A 30 V, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9,9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

33 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

31 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.98mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.08mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

30 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.85mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more