řada: TrenchFETMOSFET SISA04DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Breite
3.15mm
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
51 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 25,80
€ 1,29 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 25,80
€ 1,29 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 1,29 | € 2,58 |
| 100 - 198 | € 1,16 | € 2,32 |
| 200 - 498 | € 1,09 | € 2,18 |
| 500+ | € 1,025 | € 2,05 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Breite
3.15mm
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
51 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products