Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,6 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 36,85
€ 0,147 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
250
€ 36,85
€ 0,147 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
250
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
250 - 950 | € 0,147 | € 7,37 |
1000 - 1950 | € 0,141 | € 7,07 |
2000 - 2950 | € 0,135 | € 6,76 |
3000+ | € 0,131 | € 6,53 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,6 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku