standard: AEC-Q101, řada: DMTMOSFET DMTH6016LSD-13 N-kanálový 7,6 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7,6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
DMT
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
2
Breite
3.95mm
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.5mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,86
€ 0,586 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 5,86
€ 0,586 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7,6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
DMT
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
2
Breite
3.95mm
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.5mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products