Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10,4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
10,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Šířka
7.67mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,76
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 0,76
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 24 | € 0,76 | € 1,52 |
26+ | € 0,515 | € 1,03 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10,4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
10,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Šířka
7.67mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku