IGBT ISL9V3040S3ST N-kanálový 21 A 450 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 862-9353Značka: Fairchild SemiconductorČíslo dielu výrobcu: ISL9V3040S3ST
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

21 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

450 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±14V

Maximální ztrátový výkon

150 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 13,56

€ 2,712 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

IGBT ISL9V3040S3ST N-kanálový 21 A 450 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

€ 13,56

€ 2,712 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

IGBT ISL9V3040S3ST N-kanálový 21 A 450 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaBalík
5 - 5€ 2,712€ 13,56
10 - 95€ 2,32€ 11,60
100 - 245€ 1,80€ 9,00
250 - 495€ 1,736€ 8,68
500+€ 1,594€ 7,97

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

21 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

450 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±14V

Maximální ztrátový výkon

150 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more