IGBT modul 6MBi50VA-120-50, konfigurace: 3fázový můstek 50 A 1200 V N-kanálový, M636, počet kolíků: 28
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
FujiDauer-Kollektorstrom max.
50 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
280 W
Gehäusegröße
M636
Konfiguration
3fázový můstek
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Typ kanálu
N
Pinanzahl
28
Abmessungen
107.5 x 45 x 17mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 6-Pack, Fuji Electric
Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada S, 4. Generace NPT
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
FujiDauer-Kollektorstrom max.
50 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
280 W
Gehäusegröße
M636
Konfiguration
3fázový můstek
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Typ kanálu
N
Pinanzahl
28
Abmessungen
107.5 x 45 x 17mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 6-Pack, Fuji Electric
Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada S, 4. Generace NPT
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products