Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku