Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Šířka
1.3mm
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
50
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Šířka
1.3mm
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku