Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
100 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Gehäusegröße
SOT-143
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
2
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
900 mV
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
600 mV
Maximální zbytkový proud kolektoru
5µA
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Šířka
1.3mm
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
25
P.O.A.
Štandardný
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
100 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Gehäusegröße
SOT-143
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
2
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
900 mV
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
600 mV
Maximální zbytkový proud kolektoru
5µA
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Šířka
1.3mm
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku