Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,101
Each (On a Reel of 500) (bez DPH)
500
€ 0,101
Each (On a Reel of 500) (bez DPH)
500
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
500 - 500 | € 0,101 | € 50,46 |
1000 - 2000 | € 0,068 | € 33,81 |
2500 - 4500 | € 0,063 | € 31,29 |
5000 - 12000 | € 0,059 | € 29,27 |
12500+ | € 0,054 | € 27,25 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.