Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
230 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-SOT-23
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 10 V
Höhe
1mm
Breite
1.3mm
P.O.A.
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
P.O.A.
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
230 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-SOT-23
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 10 V
Höhe
1mm
Breite
1.3mm