Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

IGBT modul FP40R12KE3GBOSA1 N-kanálový 55 A 1200 V, ECONO3, počet kolíků: 35 1MHz 3fázový

Skladové číslo RS: 838-6888Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: FP40R12KE3GBOSA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

55 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

210 W

Gehäusegröße

ECONO3

Konfigurace

3fázový můstek

Montage-Typ

PCB Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

35

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

3 Phase

Abmessungen

122 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly, Infineon

Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 137,82

€ 137,82 Each (bez DPH)

IGBT modul FP40R12KE3GBOSA1 N-kanálový 55 A 1200 V, ECONO3, počet kolíků: 35 1MHz 3fázový

€ 137,82

€ 137,82 Each (bez DPH)

IGBT modul FP40R12KE3GBOSA1 N-kanálový 55 A 1200 V, ECONO3, počet kolíků: 35 1MHz 3fázový
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cena
1 - 4€ 137,82
5+€ 134,37

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

55 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

210 W

Gehäusegröße

ECONO3

Konfigurace

3fázový můstek

Montage-Typ

PCB Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

35

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

3 Phase

Abmessungen

122 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly, Infineon

Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more