Dioda IDH16G65C5 16A 650V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 2.1V Schottkyho SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
16A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
650V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
SiC Schottky
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
2.1V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottkyho SiC
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
124A
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Myslitelné! Silikonová karbide (SiC) Schottky Dioda, Infineon
Společnost Infineon ThinQ!™ Generation 5 nabízí novou tenkou technologii pro bariérové diody SiC Schottky, která zlepšují tepelné vlastnosti. Diody SiC Schottkyho nabízejí výhodné vlastnosti polovodičových součástek s vysokým napětím, jako je například vyšší odolnost pole proti rušení a lepší tepelná vodivost umožňující vyšší úroveň účinnosti. Tato nejnovější generace je vhodná pro použití v aplikacích Telecom SMPS a high-end Servery, systémy UPS, motorové pohony, Solar Inverters a PC Silverbox a Lighting.
Snížený EMI
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
16A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
650V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
SiC Schottky
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
2.1V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottkyho SiC
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
124A
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Myslitelné! Silikonová karbide (SiC) Schottky Dioda, Infineon
Společnost Infineon ThinQ!™ Generation 5 nabízí novou tenkou technologii pro bariérové diody SiC Schottky, která zlepšují tepelné vlastnosti. Diody SiC Schottkyho nabízejí výhodné vlastnosti polovodičových součástek s vysokým napětím, jako je například vyšší odolnost pole proti rušení a lepší tepelná vodivost umožňující vyšší úroveň účinnosti. Tato nejnovější generace je vhodná pro použití v aplikacích Telecom SMPS a high-end Servery, systémy UPS, motorové pohony, Solar Inverters a PC Silverbox a Lighting.
Snížený EMI
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products