IGBT IGB50N65S5ATMA1 N-kanálový 80 A 650 V, PG-TO263, počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
30V
Maximální ztrátový výkon
270 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
PG-TO263
Konfiguration
Single
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,65
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1,65
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
30V
Maximální ztrátový výkon
270 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
PG-TO263
Konfiguration
Single
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products