řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R048M1HXUMA1 N-kanálový 50 A 650 V, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Gehäusegröße
PG-HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
SiC
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 17 508,00
€ 8,754 1 Reel of 1 (bez DPH)
2000
€ 17 508,00
€ 8,754 1 Reel of 1 (bez DPH)
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Gehäusegröße
PG-HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
SiC
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products