řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFETMOSFET IMYH200R024M1HXKSA1 N-kanálový 89 A 2000 V, PG-TO247-4-PLUS-NT14, počet
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
89 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
2000 V
Gehäusegröße
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Řada
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
4
Režim kanálu
Vylepšení
Materiál tranzistoru
SiC
Počet prvků na čip
1
Krajina pôvodu
Malaysia
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2 361,84
€ 78,728 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 2 361,84
€ 78,728 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
89 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
2000 V
Gehäusegröße
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Řada
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
4
Režim kanálu
Vylepšení
Materiál tranzistoru
SiC
Počet prvků na čip
1
Krajina pôvodu
Malaysia
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products