Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB017N06N3GATMA1 N-kanálový 180 A 60 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 754-5412Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPB017N06N3GATMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

180 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK-7

Řada

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

250 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

206 nC při 10 V

Breite

9.45mm

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 3,65

€ 3,65 Each (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB017N06N3GATMA1 N-kanálový 180 A 60 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 3,65

€ 3,65 Each (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB017N06N3GATMA1 N-kanálový 180 A 60 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cena
1 - 9€ 3,65
10 - 24€ 3,17
25 - 49€ 2,96
50 - 99€ 2,77
100+€ 2,54

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

180 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK-7

Řada

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

250 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

206 nC při 10 V

Breite

9.45mm

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more