Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO263-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 0,806
Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
MOSFET IPB029N06NF2SATMA1 N-kanálový 120 A 60 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
800
€ 0,806
Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
MOSFET IPB029N06NF2SATMA1 N-kanálový 120 A 60 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
800
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
800 - 800 | € 0,806 | € 644,96 |
1600+ | € 0,766 | € 612,71 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO263-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC