řada: CoolMOS™ P7MOSFET IPD80R1K4P7ATMA1 N-kanálový 4 A 800 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
CoolMOS™ P7
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
32 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
2.41mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™P7
Řada výkonových MOSFET 800 V CoolMOS P7 přináší ještě vyšší efektivitu a tepelný výkon. Vhodné aplikace jsou napájecí adaptéry, osvětlení LED, audio, průmyslové a pomocné napájení.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,61
€ 0,523 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
€ 2,61
€ 0,523 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
CoolMOS™ P7
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
32 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
2.41mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™P7
Řada výkonových MOSFET 800 V CoolMOS P7 přináší ještě vyšší efektivitu a tepelný výkon. Vhodné aplikace jsou napájecí adaptéry, osvětlení LED, audio, průmyslové a pomocné napájení.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products