řada: HEXFETMOSFET IRF5210LPBF P-kanálový 38 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 650-3707Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF5210LPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

38 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

3.1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

150 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

10.54mm

Breite

4.69mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

10.54mm

Podrobnosti o výrobku

P-Channel Power MOSFET 100V až 150V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
P-channel MOSFET,IRF5210L 40A 100V
P.O.A.Each (bez DPH)

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,47

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF5210LPBF P-kanálový 38 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 2,47

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF5210LPBF P-kanálový 38 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 2,47€ 12,35
25 - 45€ 2,224€ 11,12
50 - 120€ 2,076€ 10,38
125 - 245€ 1,928€ 9,64
250+€ 1,802€ 9,01

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
P-channel MOSFET,IRF5210L 40A 100V
P.O.A.Each (bez DPH)

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

38 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

3.1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

150 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

10.54mm

Breite

4.69mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

10.54mm

Podrobnosti o výrobku

P-Channel Power MOSFET 100V až 150V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
P-channel MOSFET,IRF5210L 40A 100V
P.O.A.Each (bez DPH)