Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
36 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
27 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
92 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
42 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.54mm
Breite
4.69mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
8.77mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,01
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 1,01
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 18 | € 1,01 | € 2,02 |
20 - 98 | € 0,92 | € 1,84 |
100 - 198 | € 0,845 | € 1,69 |
200 - 498 | € 0,79 | € 1,58 |
500+ | € 0,735 | € 1,47 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
36 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
27 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
92 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
42 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.54mm
Breite
4.69mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
8.77mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.