řada: HEXFETMOSFET IRF9362PBF P-kanálový 8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 737-7307PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF9362PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

32 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

26 nC při 10 V

Počet prvků na čip

2

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

5mm

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: HEXFETMOSFET IRF9362PBF P-kanálový 8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

řada: HEXFETMOSFET IRF9362PBF P-kanálový 8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

32 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

26 nC při 10 V

Počet prvků na čip

2

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

5mm

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať