Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: HEXFETMOSFET IRFZ44ZPBF N-kanálový 51 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 688-7165Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRFZ44ZPBFDistrelec Article No.: 30341387
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

51 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

80 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

29 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

8.77mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 4,41

€ 0,882 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFZ44ZPBF N-kanálový 51 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 4,41

€ 0,882 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFZ44ZPBF N-kanálový 51 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 45€ 0,882€ 4,41
50 - 120€ 0,784€ 3,92
125 - 245€ 0,73€ 3,65
250 - 495€ 0,69€ 3,45
500+€ 0,634€ 3,17

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

51 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

80 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

29 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

8.77mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať