řada: HEXFETMOSFET IRLB4030PBF N-kanálový 180 A 100 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
370 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
87 nC při 4,5 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řízení motoru a synchronní snižovací tranzistor MOSFET AC-DC, Infineon
Ovládání MOTORU MOSFET
Společnost Infineon nabízí komplexní portfolio robustních zařízení MOSFET typu N-channel a P-channel pro aplikace řízení motorů.
Synchronní usměrňovač MOSFET
Portfolio synchronních zařízení MOSFET pro napájecí zdroje AC-DC podporuje požadavky zákazníků na vyšší hustotu energie, menší velikost, větší přenosnost a flexibilnější systémy.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 7,03
€ 3,515 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 7,03
€ 3,515 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 18 | € 3,515 | € 7,03 |
20 - 48 | € 2,99 | € 5,98 |
50 - 98 | € 2,815 | € 5,63 |
100 - 198 | € 2,60 | € 5,20 |
200+ | € 2,425 | € 4,85 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
370 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
87 nC při 4,5 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řízení motoru a synchronní snižovací tranzistor MOSFET AC-DC, Infineon
Ovládání MOTORU MOSFET
Společnost Infineon nabízí komplexní portfolio robustních zařízení MOSFET typu N-channel a P-channel pro aplikace řízení motorů.
Synchronní usměrňovač MOSFET
Portfolio synchronních zařízení MOSFET pro napájecí zdroje AC-DC podporuje požadavky zákazníků na vyšší hustotu energie, menší velikost, větší přenosnost a flexibilnější systémy.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.