Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
CoolMOS™ C3
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
31 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C3 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 60,35
€ 1,207 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 60,35
€ 1,207 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 90 | € 1,207 | € 12,07 |
100 - 240 | € 1,086 | € 10,86 |
250+ | € 1,082 | € 10,82 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
CoolMOS™ C3
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
31 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C3 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.