Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
390 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
83 nC při 10 V
Breite
11.05mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
4.83mm
Řada
HiperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 8,89
Each (bez DPH)
1
€ 8,89
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 8,89 |
5 - 9 | € 7,63 |
10 - 24 | € 7,26 |
25+ | € 6,95 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
390 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
83 nC při 10 V
Breite
11.05mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
4.83mm
Řada
HiperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C