řada: HiperFETMOSFET IXFK48N50 N-kanálový 48 A 500 V, TO-264AA, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
48 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET
Gehäusegröße
TO-264AA
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
500 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.13mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
19.96mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
270 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
26.16mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 625,67
€ 25,027 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 625,67
€ 25,027 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
48 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET
Gehäusegröße
TO-264AA
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
500 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.13mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
19.96mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
270 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
26.16mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products